MOSFET транзистор FQP13N10, N 65W
Нет в наличии
-
Доставка по РоссииМы доставим ваш заказ службой экспресс-доставки по всей России.
-
Оплата онлайнОплатите заказ банковской картой или наличными при самовывозе заказа.
-
Магазин во ВладивостокеБудем рады видеть вас в нашем магазине по адресу г. Владивосток, ул. Олега Кошевого, д. 25
- Наименование: FQP13N10
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
- Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.8 A
- Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
- Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
- Тип корпуса: TO220
| 0 | ||
| 0 | ||
| 0 | ||
| 0 | ||
| 0 |
Загрузка